收藏本站
Si5484DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
V GS = 5 thru 2.5 V
32
24
25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
16
8
0
2 V
1.5 V
8
4
0
T C = 125 °C
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.040
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.035
2000
C iss
0.030
1500
0.025
1000
0.020
V GS = 2.5 V
0.015
0.010
V GS = 4.5 V
500
0
C rss
C oss
0
8
16
24
32
40
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 11.4 A
1.4
V GS = 10 V
I D = 7.6 A
1.2
6
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.0
4
0. 8
2
0
0.6
0.4
0
8
16
24
32
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73589
S-81448-Rev. B, 23-Jun-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI5485DU-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
SI5499DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
SI5504DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
SI5513CDC-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5519DU-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET
SI5853CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
SI5853DDC-T1-E3 MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
相关代理商/技术参数
SI5485DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5485DU-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 12A 31W 25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5485DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 12A 31W 25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5486DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5486DU_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5486DU-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 12A 31W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5486DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 12A 31W 15mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5486DUV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET